|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФОТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ CdHgTe (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2244366 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/09 | | Аналоги изобретения: | SU 1890906 A1, 30.08.1989. SU 1823722 A1, 20.02.1996. RU 2080691 C1, 27.05.1997. RU 11928 U1, 16.11.1999. US 4764261 А, 16.08.1988. ЕР 0662721 А1, 12.07.1995. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" (RU) | | Изобретатели: | Гусаров А.В. (RU)
Ларцев И.Ю. (RU)
Смолин О.В. (RU)
Сусов Е.В. (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" (RU) |
Реферат | |
Использование: для регистрации и измерения светового излучения. Фоторезистор на основе гетероэпитаксиальной структуры CdHgTe содержит диэлектрическую подложку, на которой закреплена, по крайней мере, одна подложка чувствительного элемента, выполненная из CdZnTe или GaAs, или Si, с размещенным на ней чувствительным элементом, выполненным в виде гетероэпитаксиальной структуры, состоящей из нижнего варизонного слоя CdxHg1-xTe, где х изменяется в интервале от 0,8±0,05 до 0,3±0,05 в направле
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента