На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДА | |
Номер публикации патента: 2169412 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | Техническая документация АГЦ 3.368.253 ТУ на фотодиод ФД 297М. - М.: ВИМИ, ноябрь, 1992. Техническая документация АГЦ 3.368.110 ТУ на фотодиод ФД 20-32К. - М.: ВИМИ, декабрь, 1977. Радиационная стойкость./Под ред. В.Г.Средина. - М.: Военное издательство, 1987, c.91-100. RU 2127473 С1, 10.06.1999. US 4240844 A, 23.12.1980. |
Имя заявителя: | Вовк Оксана Валерьевна | Изобретатели: | Вовк О.В. | Патентообладатели: | Вовк Оксана Валерьевна |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения заключается в создании кремниевого фотодиода, устойчивого к сильным радиационным воздействиям. Сущность: в качестве исходного материала используются кремниевые эпитаксиальные структуры типа 9-20 КЭФ(КЭС) 20-100, а в качестве параметров - критериев годности фотодиодов - выбирают значения темнового тока менее 510-7 А и изменение интегральной чувствительности не более чем на 35% при нулевом
|