Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

Номер публикации патента: 2144718

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99112800 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/04    
Аналоги изобретения: Раушенбах Г. Справочник по проектированию солнечных батарей. - М.: Энергоатомиздат, 1983, с.102 - 104. EP 0548997 A1, 30.06.1993. EP 0887817 A2, 30.12.1998. GB 2100514 A, 22.12.1982. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. - М.: Наука, 1985, с.134. 

Имя заявителя: Государственный научный центр РФ Институт медико-биологических проблем 
Изобретатели: Григорьев А.И.
Цетлин В.В.
Павлушкина Т.К. 
Патентообладатели: Государственный научный центр РФ Институт медико-биологических проблем 

Реферат


Изобретение относится к области физики процессов преобразования энергии, а именно к устройствам преобразования солнечной энергии в электрическую на основе полупроводникового фотопреобразователя. Сущность изобретения: полупроводниковый фотопреобразователь содержит пластину полупроводника, на тыльную поверхность которой нанесен слой припоя, а на лицевую рабочую поверхность пластины нанесены металлические токосъемные контакты и слой кремнийорганического клея, посредством которого к пластине прикреплено защитное стеклянное покрытие, а согласно изобретению защитное покрытие выполнено из бесщелочного алюмофосфатного стекла с возможностью образования внутреннего электрического поля под действием ионизирующего излучения, при этом на внешнюю поверхность защитного покрытия нанесена гидрофобная пленка толщиной 0,5-15 мкм. Технический результат изобретения выражается в возможности повысить ресурс солнечной батареи в условиях радиационного воздействия электронного ионизирующего излучения более чем в 2 раза, снизить скорость радиационной деградации полупроводникового фотопреобразователя в 1,5 раза, получить устойчивое во времени внутреннее электрическое поле и снизить загрязнение защитного стеклянного покрытия. 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"