|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КРЕМНИЕВАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАСТИНА НОВОГО ТИПА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2141702 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/04 H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | G.Martinelli et al. Growth of stable dislocation - free 3 - grain Silicon ingats for thinner slicing, Appl. Phys Lett. v. 62, N 25, 1993, p. 3262 - 3263. RU 2014672 C1, 15.06.94. JP 58-41667 A, 13.09.83. |
| Имя заявителя: | Сименс Солар ГмбХ (DE) | | Изобретатели: | Артур Эндрес (DE)
Джулиано Мартинелли (IT) | | Патентообладатели: | Сименс Солар ГмбХ (DE) | | Номер конвенционной заявки: | P 4343296.4 | | Страна приоритета: | DE |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике для изготовления солнечных элементов. Сущность : предлагается выполнять кремниевую полупроводниковую пластину из трех развернутых друг относительно друга монокристаллических областей, которые образуют три круговых сектора полупроводниковой пластины, граничные поверхности и линии которой таким образом проходят радиально относительно друг друга и образуют друг с другом угол (W6, W7, W8) меньше 180o. При этом две из граничных поверхностей являются границами двойниковых зерен первого порядка между соответственно двумя <111>-плоскостями кристалла. Технический результат изобретения - повышение экономичности изготовления солнечных элементов с высоким коэффициентом полезного действия. 2 с. и 11 з.п.ф-лы, 10 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента