На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2137259 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | US 4746618 A, 1988. FR 2359511 A1, 1978. FR 2579832 A1, 1986. RU 2035091 C1, 1995. DE 3447954 A1, 1987. |
Имя заявителя: | Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие Научно-производственное объединение "ОРИОН" | Изобретатели: | Хитрова Л.М. Киселева Л.В. Трошкин Ю.С. Поповян Г.Э. Филатов А.В. Гусаров А.В. | Патентообладатели: | Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие Научно-производственное объединение "ОРИОН" |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения, в том числе чувствительных в нескольких диапазонах спектра. Технический результат изобретения заключается в экономии полупроводникового материала и распространении области применения способа на технологию многодиапазонных многоэлементных фотоприемников. Сущность: используют промежуточную подложку, на которую приклеивают исходную полупроводниковую пластину промежуточным клеем-расплавом. Далее, после проведения обычной операции химико-механического утоньшения полупроводниковой пластины, производят выделение блоков из полупроводникового материала, склеенного с промежуточной подложкой, приклеивают полученный блок со стороны полупроводникового материала к несущей подложке стационарным полимерным клеем, после чего удаляют промежуточную подложку вместе с промежуточным клеем-расплавом с поверхности полупроводниковой пластины, полируют пластину полупроводника до рабочей толщины, а затем формируют на этой поверхности систему пленочных контактов и топологию фоточувствительного элемента. 2 ил.
|