Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА

Номер публикации патента: 2137259

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 97117427 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/18    
Аналоги изобретения: US 4746618 A, 1988. FR 2359511 A1, 1978. FR 2579832 A1, 1986. RU 2035091 C1, 1995. DE 3447954 A1, 1987. 

Имя заявителя: Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие Научно-производственное объединение "ОРИОН" 
Изобретатели: Хитрова Л.М.
Киселева Л.В.
Трошкин Ю.С.
Поповян Г.Э.
Филатов А.В.
Гусаров А.В. 
Патентообладатели: Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие Научно-производственное объединение "ОРИОН" 

Реферат


Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения, в том числе чувствительных в нескольких диапазонах спектра. Технический результат изобретения заключается в экономии полупроводникового материала и распространении области применения способа на технологию многодиапазонных многоэлементных фотоприемников. Сущность: используют промежуточную подложку, на которую приклеивают исходную полупроводниковую пластину промежуточным клеем-расплавом. Далее, после проведения обычной операции химико-механического утоньшения полупроводниковой пластины, производят выделение блоков из полупроводникового материала, склеенного с промежуточной подложкой, приклеивают полученный блок со стороны полупроводникового материала к несущей подложке стационарным полимерным клеем, после чего удаляют промежуточную подложку вместе с промежуточным клеем-расплавом с поверхности полупроводниковой пластины, полируют пластину полупроводника до рабочей толщины, а затем формируют на этой поверхности систему пленочных контактов и топологию фоточувствительного элемента. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"