На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ГОРЯЧИХ БАЛЛИСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЯХ | |
Номер публикации патента: 2137257 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L031/0376 | Аналоги изобретения: | SITES J.R. Curreut Mechanisms end Barrier Height in ITO/Si Heterojunctions, Inst. Phus. Conf. Ser-43, Chap.22, 1979. EP 0053402 A2, 09.06.82. US 5104455 A, 14.04.92. US 4270018 A, 26.05.81. |
Имя заявителя: | Малов Юрий Анатольевич | Изобретатели: | Малов Ю.А. Баранов А.М. Терешин С.А. Зарецкий Д.Ф. | Патентообладатели: | Малов Юрий Анатольевич Баранов Александр Михайлович Терешин Сергей Анатольевич Зарецкий Давид Фишерович | Номер конвенционной заявки: | PCT/RU 95/00267 | Страна приоритета: | WO |
Реферат | |
Использование: в средствах для преобразования энергии светового излучения в электрическую. Технический результат - увеличение тока короткого замыкания за счет дополнительной генерации электронно-дырочных пар благодаря созданию условий для ударной ионизации. Сущность: преобразователь содержит электроды 4, 5, контактирующие с ними первый и второй крайние фоточувствительные полупроводниковые слои 1, 3 противоположного типа проводимости и размещенный между ними полупроводниковый промежуточный транспортный элемент 2, с соблюдением соотношений Eg2 < Eg3, Eg1 < Eg3, α2d2 < 0,1, l2 > d2 совместно с одним из соотношений Ec1 - Ec2 ≥ 0, Ev1 - Ev2 ≥ 0, первое из которых используется при выполнении слоя 1 с проводимостью р-типа и слоя 3 - с проводимостью n-типа, а другое - при обратном сочетании названных типов проводимости. В этих соотношениях Eg1, Eg3, Eg2 - ширины запрещенных зон соответственно слоев 1 и 3 и слоя промежуточного элемента 2, Ec1 и Ec2 - энергии электронов на дне зоны проводимости слоя 1 и слоя промежуточного элемента 2 соответственно, Ev1 и Ev2 - энергии дырок у потолка валентной зоны тех же слоев соответственно; α2d2 - соответственно коэффициент поглощения света в материале слоя промежуточного элемента 2 и толщина этого слоя, l2 - длина свободного пробега носителей в нем. 1 с. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил.
|