На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАВИННОГО ФОТОДИОДА | |
Номер публикации патента: 2127473 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | US 4127932 A, 1978. RU 94001682 A1, 1995. US 4127932A, 1980. US 4234355 A, 1980. |
Имя заявителя: | Государственный научный центр РФ Государственное предприятие "Научно-производственное объединение "Орион" | Изобретатели: | Вовк О.В. Мельникова Т.М. | Патентообладатели: | Государственный научный центр РФ Государственное предприятие "Научно-производственное объединение "Орион" |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов с р-п переходом и может использоваться для создания лавинных фотодиодов (ЛФД) из различных полупроводниковых материалов и полупроводниковых соединений. Технический результат изобретения - совершенствование кристаллической структуры ЛФД по всей его площади, снижение микроплазменного шума и повышение чувствительности за счет увеличения рабочего напряжения ЛФД. Сущность: на завершающем этапе изготовления ЛФД после формирования контактов производят облучение гамма-нейтронным импульсом при средней энергии нейтронов 1,0-3,0 МэВ с интегральным потоком 5·109-5·1012 н/см2.
|