На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2127009 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | 1. SU 288162 A, 1983. 2. SU 288159 A, 1983. 3. SU 288160 A, 1983. 4. SU 288161 A, 1983. 5. SU 288163 A, 1983. 6. US 4872607 A, 1990. 7. US 4971919 A, 1990. 8. EP 0229397 A2, 1987. 9. DE 3330541 A, 1984. 10. WO 89/00342 A1, 1984. 11. Sater B.L. at all. The multiple Junetion Edge Jlluminated Solar Cells in Couf. Rec. Tenth JEEE Photovoltaic Couf, 1973, p.188 - 193. |
Имя заявителя: | Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства | Изобретатели: | Стребков Д.С. Тюхов И.И. | Патентообладатели: | Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП). Область применения - возобновляемые источники энергии. Техническим результатом изобретения является повышение КПД ФП, а также увеличение стойкости к внешним воздействиям. Сущность изобретения: исходные полупроводниковые структуры сращивают в монолитный столбик под давлением 0,5-15 атм при 800-1300oС, при этом в области сращивания образуется либо рабочий р - n-переход, разделяющий носители заряда, либо область сращивания формирует омический контакт за счет туннельного эффекта в сильнолегированных областях, а затем проводят резание столбика на структуры и присоединение контактов. 3 ил.
|