На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МУЛЬТИСКАНА

Номер публикации патента: 2091909

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94026939		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: полупроводниковая техника для изготовления координаточувствительного фотоприемника мультискана, используемого для измерения положения светового сигнала. Сущность изобретения: в способе изготовления мультискана, заключающемся в формировании на подложке изолированных друг от друга и от подложки двух базовых областей, изготовлении линейки встречно включенных р-n-переходов в упомянутых базовых областях, формировании общей шины вдоль внешнего края одной базовой области и нанесение делительного слоя на внешний край другой базовой области, новым является то, что на поверхность делительного слоя дополнительно наносят резистивный слой, выступающий за пределы делительного слоя с его внешней по отношению к p-n-переходам стороны на величину не менее &Dgr;M_min, где &Dgr;M_min= &Dgr;m·f*@m_ax/f_min и обладающий сопротивлением, превышающим сопротивление делительного слоя не менее чем в К раз, где К = m/M·f_min, затем определяют зависимость величины ошибки координирования f(x) путем измерения величины выходного напряжения в зависимости от положения центра светового пятна, находят максимальное значение ошибки координирования f_max, затем корректируют сопротивление делительного слоя путем изменения ширины дополнительного резистивного слоя с его наружной стороны по отношению к p-n-переходам в соответствии с зависимостью m(x)= M[1+R_m/R_d·(f(x)-f_max)], где m(x) - скорректированное распределение ширины резистивного слоя, мкм; R_m - сопротивление дополнительного резистивного слоя, Ом; R_d - сопротивление делительного слоя, Ом; &Dgr;m - минимальная заданная величина изменения ширины дополнительного резистивного слоя, мкм; f(x) - зависимость ошибки координирования от положения центра светового пятна, %; f_max - максимальное значение измеренной ошибки координирования, %; f*@m_ax - максимально возможная заданная ошибка координирования, %; f_min - заданная ошибка координирования, %; М - ширина дополнительного резистивного слоя, мкм; D - ширина делительного слоя, мкм. 1 ил.

Вернуться к списку