Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЛАВИННЫЙ ФОТОПРИЕМНИК

Номер публикации патента: 2086047

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 96110910 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/06    
Аналоги изобретения: 1. Z.F.Lou and G.L. Tettemer, J.Appl. Phus. V 66, N 6, 1989, p. 2928 - 2688. 2. Z.Y.Sadydov, I.M.Zheleznykh, N.A.Malakhov, V.N.Jejer and T.A.Kirillova, IEEE Trans Nucl. Sci 43, 3, 1996 р.1009 - 1013. 

Имя заявителя: Садыгов Зираддин Ягуб-оглы 
Изобретатели: Садыгов Зираддин Ягуб-оглы 
Патентообладатели: Садыгов Зираддин Ягуб-оглы 

Реферат


Использование: для регистрации слабых потоков световых квантов, гамма излучения и ядерных частиц. Сущность изобретения: в лавинном фотоприемнике, включающем полупроводниковую подложку, на поверхности которой расположены полупроводниковые области противоположного подложке типа проводимости, отделенные от полевого электрода буферным слоем, между подложкой и буферным слоем дополнительно расположены: полупроводниковые слои противоположного подложке типа проводимости, имеющие выход к буферному слою между полупроводниковыми областями; высокопроводящие области с повышенной по отношению к подложке концентрацией легирующих примесей, расположенные между полупроводниковыми слоями и подложкой, отстоящие от полупроводниковых областей на величину не меньше, чем толщина полупроводниковых слоев. Полупроводниковые области непосредственно соединены с полевым электродом через буферный слой. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"