|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ФОТОДИОДНОЙ МАТРИЦЫ НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ |  |
Номер публикации патента: 2069028 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4237471, кл. 357/30, 1979. Патент Франции N 2256135, кл. Н 01 L 31/06, 1983. Optical Engineering, 1987, vol. 26. N 3, p. 232-240. |
| Имя заявителя: | Туринов Валерий Игнатьевич | | Изобретатели: | Туринов Валерий Игнатьевич | | Патентообладатели: | Туринов Валерий Игнатьевич |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления матричных фотоприемников ИК диапазона 3-5 мкм. Сущность: на n-или p-подложку InSb с концентрацией носителей 1014...1015 см-3 носят эпитаксиальный слой n+-InSb c n+ = (2-3) · 1018 см-3 и толщиной 100-150 мкм, который в дальнейшем после утолщения подложки до примерно 10 мкм и формирования на ней имплантации ионов p-n-переходов выполняет роль n+-подложки, а в готовой матрице при освещении с тыльной стороны выполняет функцию оптического фильтра, отрезающего излучение с λ< за счет эффекта Бурштейна-Мосса. Кроме того, на внешнюю сторону эпитаксиального слоя наносят сетку канавок треугольной формы, совмещенную с сеткой промежутков между p-n-переходами, которые за счет эффекта иммерсии увеличивают коэффициент использования потока излучения, падающего на матрицу, и улучшают контрастность изображения при дифракции от сетки в зоне Френеля. Для считывания сигналов матрица на InSb соединяется с помощью индиевых столбиков с матрице на Si. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента