|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО ТАНДЕМНОГО ТИПА |  |
Номер публикации патента: 2050632 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/04 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4316049, кл. H 01L 31/06, 1982. |
| Имя заявителя: | Канегафути Кагаку Когио Кабусики Кайся (JP) | | Изобретатели: | Ес Такада[JP]
Минори Ямагути[JP]
Есихиса Тавада[JP] | | Патентообладатели: | Канегафути Кагаку Когио Кабусики Кайся (JP) |
Реферат | |
Изобретение относится к оптоэлектронике и направлено на повышение качества преобразования энергии. Многопереходное полупроводниковое устройство, содержащее слой типа p, слой типа n из аморфного полупроводника или из аморфного полупроводника, включающего микрокристаллы и слой, блокирующий диффузию, расположенный между слоем типа p и слоем типа n толщиной от 5 до предпочтительно от 10 до Полупроводниковое устройство может уменьшать ухудшение качества, вызываемое диффузией атомов легирующего матер
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента