На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩИХ ЧАСТИЦ |  |
Номер публикации патента: 2035807 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L031/02 G01T001/24 | Аналоги изобретения: | 1. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. М.: Мир, 1966, с.161-165. |
Имя заявителя: | Евсеев Игорь Иванович,Ивакин Анатолий Николаевич,Циганков Виктор Юрьевич,Суровцев Игорь Степанович,Заикин Александр Иванович | Изобретатели: | Евсеев Игорь Иванович Ивакин Анатолий Николаевич Циганков Виктор Юрьевич Суровцев Игорь Степанович Заикин Александр Иванович | Патентообладатели: | Евсеев Игорь Иванович Ивакин Анатолий Николаевич Циганков Виктор Юрьевич Суровцев Игорь Степанович Заикин Александр Иванович |
Реферат |  |
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых детекторов низкоэнергетических частиц и частиц с малой ионизирующей способностью. Сущность изобретения: способ заключается в создании на поверхности кремниевой пластины p-типа слоя SiO2 с формированием на границе раздела встроенного положительного заряда с индуцированным в приповерхностной зоне p-кремния инверсным n-слоем и выполнении на полученной структуре пары омических контактов, один из которых осуществляют к инверсному n-слою посре
|