На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2024112 |  |
Редакция МПК: | 5 | Основные коды МПК: | H01L031/075 H01L031/18 | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4064521, кл. H 01L 45/00, 1978. |
Имя заявителя: | Конегафути Кагаку Когио Кабусики Кайся (JP) | Изобретатели: | Дзун Такада[JP] Минори Ямагути[JP] Есихиса Тавада[JP] | Патентообладатели: | Конегафути Кагаку Когио Кабусики Кайся (JP) | Номер конвенционной заявки: | 213943 | Страна приоритета: | JP |
Реферат |  |
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для преобразования солнечной энергии. Сущность: термостойкий тонкопленочный фотоэлектрический преобразователь содержит p - i - n-структуру, электрод и слой блокирования диффузии, расположенный между полупроводником и по крайней мере одним электродом. Блокирующий слой формируют толщиной путем нанесения на n-слой кремния слоя металла VI B группы периодической таблицы элементов или сплава металлов, содержащего более 50 ат.% металла VI B группы, и отжига в течение 1,5 - 2 при 150 - 200°С. Преобразователь позволяет исключить снижение качества вследствие диффузии металла или металлического соединения из электрода в полупроводник. 2 с.п.ф-лы, 1 табл., 1 ил.
|