На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ЛАВИННЫЙ ФОТОДЕТЕКТОР |  |
Номер публикации патента: 1823725 |  |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L031/107 | Аналоги изобретения: | Патент Японии N 51-24348, кл. H 01 L 31/00, 1976. Ветохин С.С., Головкин В.М., Залесский В.Б., Малышев С.А. и Шуневич С.А. Влияние температуры на характеристики лавинных фотодетекторов с резистивным слоем в режиме счета фотонов. Приборы и техника эксперимента. N 1, 1991, с. 186-188. |
Имя заявителя: | Институт электроники АН БССР | Изобретатели: | Ветохин С.С. Залесский В.Б. Куликов А.Ю. Леонова Т.Р. Малышев С.А. Пан |
Реферат |  |
Использование: лавинный фотодетектор относится к оптоэлектронике и может быть использован в качестве полупроводниковых фотодатчиков устройств обработки оптической информации, в спектрофотометрии, астрометрии, биофизике, системах оптической связи. Сущность изобретения: в лавинном фотодетекторе, состоящем из последовательно сформированных на полупроводниковой подложке слоя полупроводника противоположного типа проводимости, резистивного слоя и прозрачного проводящего электрода омического контакта на обратной стороне подложки, в подложке выполнена матрица углублений в форме пирамид с шагом не более удвоенной диффузионной длины неосновных носителей заряда в подложке, а слой полупроводника противоположного типа проводимости размещен на поверхности углублений. 1 ил.
|