| На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину» 
    | ЛАВИННЫЙ ФОТОПРИЕМНИК |  | 
 | Номер публикации патента: 1702831 |  | 
 
| Редакция МПК: | 6 |  | Основные коды МПК: | H01L031/06 |  | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1407351, кл. H 01 L 31/06, 1986. Авторское свидетельство СССР N 1131403, кл H 01 L 31/06, 1984. |  
 
| Имя заявителя: | Институт ядерных исследований АН СССР |  | Изобретатели: | Гасанов А.Г. Головин В.М.
 Садыгов З.Я.
 Юсипов Н
 |  
 | Реферат |  | 
 Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам. Целью изобретения является улучшение стабильности, увеличение отношения сигнал/шум и уменьшение темнового тока. Лавинный фотоприемник содержит полупроводниковую подложку, не менее двух полупроводниковых областей с противоположным подложке типом проводимости, буферный слой и полевой электрод. Полупроводниковые области отделены от полевого электрода буферными областями, расположенными в буферном слое. При этом выполняется условие σ-1@б1+σ-1@n1<σ-1@б2+σ-1@n2 , где σn1 и σn2 - проводимость обедненного слоя на границе подложка - полупроводниковая область и подложка - буферный слой соответственно, σб1 и σб2 - проводимость буферных областей и буферного слоя соответственно. Расстояние между полупроводниковыми областями не менее толщины буферного слоя, но не более удвоенной суммы максимальной толщины обедненного слоя при лавинном пробое и диффузионной длины неосновных носителей заряда в подложке. Использование буферных областей позволяет улучшить стабильность работы, т. к. конечное сопротивление буферной области ограничивает резкое развитие лавинного процесса. 1 ил. 
 |