|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 1284439 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/14 | | Аналоги изобретения: | 1. Levin K.H., Fang .h. "Optical switching and bistability in tunable laser", Appl. Phys. Lett, 34 (6), 15 March, 1979, pp. 376-378. 2. Авторское свидетельство СССР N 1153769, кл. H 01L 29/78, 1985. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Ильичев Э.А.
Полторацкий Э.А |
Реферат | |
Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p - n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:0 и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока, отличающийся тем, что, с целью повышения верхней температурной границы рабочего диапазона элемента, между активным транзисторным слоем и изолирующим слоем Gа1-xAlxAs: 0 введен слаболегированный слой арсенида галлия, толщина которого dн и степень легирования Nн связаны с толщиной da и da и степенью легирования Nн активного слоя соотношением dнNн≅daNa·10-2, а молярные доли алюминия в упомянутых полупроводниковом и изолирующем слоях связаны соотношением x>y.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента