Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L029/00
Поиск в МПК:   
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (31/00-47/00, 51/05 имеют преимущество; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, 27/00)[2,6]
Всего позиций: 365        [1-50] [51-100] [101-150] [151-200] [201-250] [251-300] след»
Публикация Название
2377693ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ "НЕ" НА ОСНОВЕ СВЕРХРЕШЕТКИ ВТОРОГО ТИПА
2183885ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ
2035089ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ
2186438ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ
2278447ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ
2362132ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ
2469437ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ С ОДНИМ ЖЕСТКИМ ЦЕНТРОМ
2469436ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ С ТРЕМЯ ЖЕСТКИМИ ЦЕНТРАМИ
2175461ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ
2024995ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, УСТОЙЧИВЫЙ К ОБРАТНОМУ ВТОРИЧНОМУ ПРОБОЮ
2390880ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ШОТТКИ - pn ДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
2024111ИСТОКОВЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ
2384910КАТУШКА ИНДУКТИВНОСТИ, ПЕРЕСТРАИВАЕМАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ
2062530КВАНТОВО - ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР
1549419КВАНТОВЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
2201016КОНСТРУКЦИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
2474007КОНСТРУКЦИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ НА КНИ - СТРУКТУРЕ
2156013КОНСТРУКЦИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ С ВЕРТИКАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫМИ ДРУГ НАД ДРУГОМ ПЕРЕСЕЧЕНИЯМИ
2472249КРИСТАЛЛ УЛЬТРАБЫСТРОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО СИЛЬНОТОЧНОГО АРСЕНИД - ГАЛЛИЕВОГО ДИОДА
2401481КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ AlxGayIn1 - x - yN, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
2168800ЛАВИННО - ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД (ВАРИАНТЫ)
2053587МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
2008748МАГНИТОТРАНЗИСТОР
2055419МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
2127007МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Всего позиций: 365        [1-50] [51-100] [101-150] [151-200] [201-250] [251-300] след»
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"