На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

ГЕТЕРОСТРУКТУРА С КВАНТОВО - РАЗМЕРНЫМИ СЛОЯМИ

Номер публикации патента: 95109397

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95109397

Реферат

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции полевого транзистора. Рассматривается конструкция полевого транзистора, канал которого изготовлен из сверхреш тки, содержащей слои кремния между которыми расположены слои аморфного диэлектрика. Цель изобретения - увеличение структурного совершенства слоев кремния в сверхрешетке и повышение подвижности носителей заряда в слоях кремния. Цель достигается тем, что гетероструктура с квантово-размерными слоями выполнена в виде сверхрешетки, состоящей из слоев кремния, расположенных между слоями диэлектрика - фторида кальция.

Вернуться к списку