|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 95104136 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95104136 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина | | Изобретатели: | Асина С.С.
Горкин Е.В |
Реферат | |
Изобретение относится к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов таблеточного исполнения, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления. Целью изобретения является повышение термостабильности сопротивления мощного полупроводникового резистора в рабочем интервале температур и технологичности способа изготовления. Для этого в мощном полупроводниковом резисторе, который состоит из резистивного элемента, выполненного в виде диска из монокристаллического кремния п-типа электропроводности, резистивный элемент содержит радиационные дефекты с концентрацией от 3 · 1012 см -3 для кремния с удельным сопротивлением 700 Ом · см до 3 · 1013 см-3 для кремния с удельным сопротивлением 150 Ом · см, причем эти дефекты получают путем облучения резистивного элемента ускоренными электронами с энергией 2 - 5 МЭВ, дозой от 2,5 · 1014 см-2 для кремния с удельным сопротивлением 700 Ом · см до 2,5 · 1015 см-2 для кремния с удельным сопротивлением 150 Ом · см с последующим термостабилизирующим отжигом.
|
Поиск патентов