|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С ДВУМЯ ТИПАМИ МОП - ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 94035815 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94035815 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Ракитин В.В. |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Предлагается в конструкции интегральных схем на полупроводниковой подложке, частично покрытой маскирующим слоем, последний выполнять в виде локальных областей, отделенных друг от друга определенной ширины зазорами, протяженными вдоль взаимно перпендикулярных направлений, которые в результате образуют односвязную область. В непокрытых маскирующим слоем части подложки - в зазорах между маскирующими областями - формируются все элементы интегральной схемы. Маскирующие области остаются свободными от проводников. Выбором толщины маски большей ширины проводников обеспечивается возможность независимого формирования двух взаимно перпендикулярных слоев проводников. Наличие зазоров сложной формы и различной ориентации позволяет известными методами формировать остальные типы элементов.
|
Поиск патентов