J.Dom et al. Light Triggered Protection Thyristors, Power Electronics Europe, Issue 2, 2002, pp.29-35. US 5144400 A, 01.09.1992. US 4868636 A, 19.09.1989. US 4096623 A, 27.06.1978. RU 2410795 C1, 27.01.2011. RU 2308121 C1, 27.01.2011. RU 2279735 C1, 10.07.2006.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к силовым тиристорам, управляемым током. Техническим результатом изобретения является интеграция функции самозащиты от импульсов перенапряжения в обычные управляемые током тиристоры. Сущность изобретения: в силовом тиристоре, выполненном на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности, содержащем с обеих сторон пластины диффузионные р-слои, образующие высоковольтные р-n-переходы с локальным уменьшением глубины залегания р-n-перехода в центре пластины по крайней мере с одной ее стороны, расположенные с той же стороны пластины локальные диффузионные n+-слои, образующие основной эмиттер тиристора и несколько кольцевых вспомогательных эмиттеров, встроенный в р-слой резистор, расположенный между вспомогательными эмиттерами, металлизированные омические контакты, расположенные на поверхности основного эмиттера (катод), на обратной стороне пластины (анод), на поверхности вспомогательных эмиттеров с переходом через их внешнюю границу на поверхность р-слоя, между встроенным в р-слой резистором и расположенным снаружи от него вспомогательным эмиттером создан кольцевой металлизированный омический контакт к р-слою (управляющий электрод) шириной от 0,5 мм до 1,5 мм. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента