SU 1679922 A1, 27.07.1996. US 5763914 A, 09.06.1998. JP 2004063860 A, 26.02.2004. RU 2216071 C1, 10.11.2003. SU 1787296 A3, 07.01.1993.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) (RU)
Изобретатели:
Булгаков Олег Митрофанович (RU) Петров Борис Константинович (RU) Таравков Михаил Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет увеличить величину полезной мощности на единицу площади полупроводниковой структуры. Сущность изобретения: в мощной полупроводниковой структуре, содержащей ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме трапеций с параллельными высотами, образующих разделенную на фрагменты полосу, ограниченную по ширине основаниями трапеций, а по длине - боковыми сторонами крайних трапеций, по крайней мере, часть ряда вышеуказанных областей второго типа проводимости выполнены в форме непрямоугольных параллелограммов, стороны которых параллельны смежным сторонам соседних областей второго типа проводимости, из которых как минимум одна не является параллелограммом. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента