US 3952324 A, 20.04.1976. EP 0038239 A1, 21.10.1981. JP 6053377 A, 25.02.1994. Тейлор П., Расчет и проектирование тиристоров, пер. с англ. под ред. Евсеева Ю.А. - М.: Энергоатомиздат, 1990, с.178, 208. E.Maset, et al. 300°C SiC Blocking Diodes for Solar Array Strings, Materials Science Forum, 2009, v.615-617, p.925-928.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") (RU)
Изобретатели:
Басовский Андрей Андреевич (RU) Жуков Андрей Александрович (RU) Харитонов Владимир Анатольевич (RU) Анурова Любовь Владимировна (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к блокирующим диодам для солнечных батарей космических аппаратов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание бескорпусного блокирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов с высоким пробивным напряжением, низким прямым напряжением, устойчивого при термоциклировании в широком диапазоне температур (от -180°C до +100°С), диэлектрическая изоляция которого защищена от воздействия щелочных металлов. Сущность изобретения: блокирующий диод для солнечных батарей космических аппаратов содержит кремниевый кристалл с планарным p-n-переходом, омический контакт к области p-типа проводимости между областью эмиттера и полевой обкладкой кремниевого кристалла, омический контакт к области n-типа проводимости между областью базы и полевой обкладкой кремниевого кристалла, первый и второй выводы, расположенные параллельно лицевой и тыльной плоскостям кремниевого кристалла, первый и второй компенсаторы, расположенные между первым и вторым выводами и кремниевым кристаллом. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента