SU 1679922 A1, 27.07.1996. RU 2238604 C1, 20.10.2004. US 5763914 A, 09.06.1998. JP 2004063860 A, 26.02.2004.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) (RU)
Изобретатели:
Булгаков Олег Митрофанович (RU) Петров Борис Константинович (RU) Таравков Михаил Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная полупроводниковая структура содержит ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме вписанных в прямоугольники трапеций с параллельными высотами и монотонным убыванием ширины каждой от большого основания к малому, образующих разделенную на фрагменты полосу, ограниченную по ширине основаниями трапеций, а по длине - боковыми сторонами крайних трапеций. По крайней мере, в части ряда верхние и нижние основания трапеций у края полосы чередуются, что приводит к увеличению расстояний между их наиболее разогретыми участками и снижению максимума температуры структуры. 1 ил.