Иванов Л.П. и др. Диод из арсенида галлия, легированного глубокими примесями для генерации токовых импульсов. Сборник Труды НИИПП, вып.3, ч.1, 1973, с.158. RU 2054209 C1, 10.02.1996. SU 1559993 A1, 09.08.1995. SU 1558263 A1, 25.07.1995. US 5168328 A, 01.12.1992. US 6861681 B2, 01.03.2005. JP 54058379 A, 11.05.1979. JP 51100682 A, 06.09.1976.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет (ТГУ) (RU)
Изобретатели:
Прудаев Илья Анатольевич (RU) Толбанов Олег Петрович (RU) Хлудков Станислав Степанович (RU) Скакунов Максим Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет (ТГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в источниках питания полупроводниковых лазеров, мощных полупроводниковых светодиодов, диодов Ганна, системах сверхширокополосной локации. Сущность изобретения: в структуре импульсного лавинного S-диода на основе арсенида галлия, легированного железом, между слоями - и -типа дополнительно помещен слой -типа с высоким удельным сопротивлением. Дополнительный слой -типа с высоким удельным сопротивлением может быть получен легированием арсенида галлия n-типа примесью хрома. Техническим результатом изобретения является устранение влияния инжекции электронов на протекание тока при обратном смещении --перехода до переключения диода и повышение напряжения переключения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента