RU 2372691 C1, 10.11.2009. RU 2372692 C1, 10.11.2009. RU 2372693 C1, 10.11.2009. RU 2372694 C1, 10.11.2009. US 6229153 B1, 08.05.2001. US 5723872 A, 03.03.1998. US 5389798 A, 14.02.1995. JP 61176163 A, 07.08.1986.
Имя заявителя:
Федоров Игорь Борисович (RU), Шашурин Василий Дмитриевич (RU), Нарайкин Олег Степанович (RU), Иванов Юрий Александрович (RU), Мешков Сергей Анатольевич (RU), Федоренко Иван Александрович (RU), Башков Валерий Михайлович (RU), Федоркова Нина Валентиновна (RU), Синякин Владимир Юрьевич (RU)
Изобретатели:
Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Нарайкин Олег Степанович (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU) Синякин Владимир Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Нарайкин Олег Степанович (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU) Синякин Владимир Юрьевич (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×10181×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из AlyGa1-yAs, где y - молярная доля Аl, толщиной от 1,70 до 8,48 нм с молярной долей Аl от 0,4 до 1 и расположенной между ними потенциальной ямы толщиной 7,9112,44 нм, выполненной из GaAs, отношение толщин слоев потенциальных барьеров лежит в пределах 1,35. Изобретение позволяет обеспечить создание выпрямительного диода с формой ВАХ, позволяющей увеличить выходное напряжение выпрямителя в 510 раз при амплитуде входного переменного напряжения UВХ0,2 В. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента