RU 2201659 С2, 27.03.2003. RU 2351037 С1, 27.03.2009. RU 2172538 С2, 20.08.2001. US 7035106 В2, 25.04.2006. US 5646826 А, 08.07.1997. US 5375039 А, 20.12.1994.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Духновский Михаил Петрович (RU) Ратникова Александра Константиновна (RU) Федоров Юрий Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковый кристалл, на одной стороне которого выполнен, по меньшей мере, один мощный схемный элемент, а противоположной стороной полупроводниковый кристалл расположен соосно на металлизированном, по меньшей мере, с двух противоположных сторон теплоотводящем основании, выполненном из высокотеплопроводящего материала, и соединен с ним слоем припоя. Часть поверхности металлизированного теплоотводящего основания, на которой расположен полупроводниковый кристалл, выполнена выпуклой либо вогнутой формы, при этом упомянутая форма части поверхности металлизированного теплоотводящего основания выполнена соосно и симметрично относительно центральной оси полупроводникового кристалла, форму выпуклости либо вогнутости и соответственно величину выпуклости либо вогнутости части поверхности металлизированного теплоотводящего основания между ее центром и краем определяют из заявленного соотношения. Изобретение позволяет повысить надежность и выходную мощность мощного полупроводникового прибора за счет снижения внутренних напряжений и повышения эффективности отвода тепла. 4 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента