Xueping Xu et all. "Growth and characterization of low defect GaN by hydride vapor phase epitaxy", J. Crystal Growth, 246, (2002), p.223-229. RU 2187172 C1, 10.08.2002. US 2004089919 A1, 13.05.2004. EP 1304749 A1, 13.05.2004. JP 57120343 A, 27.07.1982.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам на кристаллической нитридной подложке. Сущность изобретения: кристаллическая подложка из AlxGayIn1-x-yN (0х, 0у, х+у1) (12) имеет главную плоскость (12m) с площадью по меньшей мере 10 см2, в которой упомянутая главная плоскость (12m) имеет внешнюю область (12w), расположенную в пределах 5 мм от внешней периферии упомянутой главной плоскости, и внутреннюю область (12n), соответствующую области, отличной от упомянутой внешней области. Упомянутая внутренняя область (12n) имеет суммарную плотность дислокации, по меньшей мере, 1×102 см-2 и не более 1×106 см-2. Изобретение позволяет получить кристаллическую подложку из AlxGayIn1-x-yN в качестве подложки полупроводникового прибора, которая является большой по размеру и имеет подходящую плотность дислокации, полупроводниковый прибор, содержащий такую кристаллическую подложку, и способ его изготовления. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента