JP 2001244479 A, 07.09.2001. JP 11008376 A, 12.01.1999. US 6642551 B1, 04.11.2003. US 5075739 A, 24.12.1991. RU 2059327 C1, 27.04.1996. RU 2024995 C1, 15.12.1994. SU 671601 A1, 15.11.1993.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Грехов Игорь Всеволодович (RU) Рожков Александр Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный p-N переход, электрические контакты для подачи потенциалов и охранные кольца, расположенные в области периметра р-слоя планарного р-N перехода и выполненные в виде кольцевых канавок, вытравленных в диффузионном р-слое. Глубина, ширина канавок и их суммарная ширина удовлетворяют определенным соотношениям. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции и уменьшение площади, занимаемой охранными кольцами высоковольтного полупроводникового прибора с кремниевым диффузионным планарным p-N переходом. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента