JPRI A. Electrical properties of Silicon Films on Sapphire using the MOS Hall Technique. J. of Applied Physics, 1972, v.43, p.2270-2275. RU 2097873 C1, 27.11.1997. FR 2844636 A1, 19.03.2004. JP 7122793 A, 12.05.1995. US 3994010 A, 23.11.1976.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов (ФГУ ТИСНУМ) (RU)
Изобретатели:
Бланк Владимир Давыдович (RU) Горнев Евгений Сергеевич (RU) Мордкович Виктор Наумович (RU) Терентьев Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов (ФГУ ТИСНУМ) (RU)
Реферат
Полевой датчик Холла (ПДХ) относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использован в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике. ПДХ содержит диэлектрическую подложку с расположенным на ней полупроводниковым каналом, выполненным из полупроводникового алмаза и имеющим два омических токоподводящих контакта на концах канала и два омических холловских противолежащих контакта на боковых поверхностях канала, внешняя поверхность которого покрыта слоем диэлектрика, на поверхности которого расположен электрод затвора. Изобретение позволяет создать высокочувствительный ПДХ с рабочей температурой до 500°С. 3 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента