|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД С УЛУЧШЕННОЙ ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТЬЮ |  |
Номер публикации патента: 2352022 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/861 | | Аналоги изобретения: | DE 4337329 А, 04.05.1995. RU 2024997 C1, 15.12.1994. RU 2003208 C1, 15.11.1993. US 6469368 B2, 22.10.2002. DE 10208965 А, 18.09.2003. JP 5326987 А, 10.12.1993. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (RU) | | Изобретатели: | Сурма Алексей Маратович (RU)
Мнацаканов Тигран Тигранович (RU)
Сторчак Николай Сергеевич (RU)
Фрейдлин Андрей Сергеевич (RU)
Приходько Анна Ивановна (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента