|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД НА ОСНОВЕ 6Н КАРБИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2340041 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/861 | | Аналоги изобретения: | US 5061972 А, 29.10.1991. JP 2000164528 А, 16.06.2000. SU 1726571 А, 15.04.1992. US 2004/0031971 A1, 19.02.2004. US 6291838 B1, 18.09.2001. JP 7131067 A, 19.05.1995. JP 6188451 A, 08.07.1994. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет (RU),ООО"Силовые полупроводниковые приборы Кристалл" (RU) | | Изобретатели: | Каргин Николай Иванович (RU)
Рыжук Роман Валерьевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет (RU)
ООО"Силовые полупроводниковые приборы Кристалл" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к промышленной электронике и может быть использовано в электрических устройствах, эксплуатируемых в экстремальных условиях: космос, повышенная радиация, высокие температуры. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в расширении параметров применимости карбидокремниевого диода в сравнении с аналогичными кремниевыми и арсенидгаллиевыми диодами, а также в увеличении надежности в сравнении с карбидокремниевыми диодами Шоттки.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента