|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2253923 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | RU 2216070 С1, 10.11.2003. RU 2190899 C1, 10.10.2002. НИКИШИН В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и связь. 1989, с.144. 4157561 А, 05.06.1979. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU) | | Изобретатели: | Булгаков О.М. (RU)
Петров Б.К. (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой электронике, в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная СВЧ транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента