Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОДОМ ЗАТВОРА

Номер публикации патента: 2246778

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000124531/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/739    
Аналоги изобретения: IVAMURO N. ET AL. “EXPERIMENTAL DEMONSTRATION OF DUAL GATE MOS THYRISTOR” PROCEEDINGS OF THE 7 

Имя заявителя: АББ ШВАЙЦ ХОЛДИНГ АГ (CH) 
Изобретатели: БАУЭР Фридхельм (CH)
ЦЕЛЛЕР Ханс-Рудольф (CH) 
Патентообладатели: АББ ШВАЙЦ ХОЛДИНГ АГ (CH) 

Реферат


Использование: в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: биполярный транзистор с изолированным затвором не имеет элементов затвора, а ток затвора проводится в кристалле биполярного транзистора с изолированным затвором, исходя из вывода затвора, непосредственно через слои поликремния электродов затвора к отдельным ячейкам биполярного транзистора с изолированным затвором.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"