|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2238604 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/70 | | Аналоги изобретения: | SU 1679922 А1, 27.07.1996. НИКИШИН В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и связь, 1989, с.106-107, 11-20, 30-38. SU 1827150 A3, 27.06.1996. RU 2127469 С1, 10.03.1999. US 4769688 А, 06.09.1988. US 5003370 А, 26.03.1991. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Воробьев В.В. (RU)
Булгаков О.М. (RU) | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является повышение отношения выходной мощности к площади полупроводниковой структуры с неравномерным распределением протяженности ее активной области в направлении, перпендикулярном продольной оси структуры. Сущность изобретения: изменение общей ширины активной области мощной полупроводниковой структуры осуществлено за счет исключения ее фрагментов из области с наихудшими условиями отвода тепла.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента