|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ БИПОЛЯРНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2231865 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | НИКИШИН В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и связь. 1989, с. 106, 11-20, 30-38.SU 656432 A, 07.01.1986.SU 1679922 A1, 27.07.1996.SU 1766220 A1, 15.11.1994.US 4157561 A, 05.06.1979.US 5869381 A, 09.02.1999. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Булгаков О.М. (RU)
Петров Б.К. (RU) | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в ВЧ и СВЧ биполярной транзисторной структуре в балластном резисторе с некоторым законом распределения сопротивления по ширине имеются фрагменты с температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), отличным от ТКС резистора. Фрагменты распределены таким образом, что относительное изменение сопротивления с изменением температуры участков резисторов с повышенным сопротивлением больше по сравнению с сопротивлением других участков.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента