|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БИПОЛЯРНО - ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С КОМБИНИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ |  |
Номер публикации патента: 2230394 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | Wang J., Williams B.W. A simulation study of high voltage 4H-SiC IGBTs. Semiconductor Science and Technology. 1998, v.13, №7, p.806-815. EP 0683529 A1, 22.11.1995. US 6008092 A, 28.12.1999. RU 2065642 С1, 20.08.1996. |
| Имя заявителя: | ОАО "ОКБ "Искра" (RU) | | Изобретатели: | Воробьева Т.А. (RU)
Гурин Н.Т. (RU)
Гордеев А.И. (RU)
Обмайкин Ю.Д. (RU)
Андреева Е.Е. (RU) | | Патентообладатели: | ОАО "ОКБ "Искра" (RU) |
Реферат | |
Использование: в области полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором содержит первый (коллекторный) слой первого типа проводимости, на котором расположены последовательно второй слой второго типа проводимости, третья область первого типа проводимости, четвертая (эмиттерная) область второго типа проводимости, изолированный от полупроводника слоем подзатворного диэлектрика проводящий затворный контакт, расположенный в канавке.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента