|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПЛАНАРНЫЙ СИЛОВОЙ МОП ТРАНЗИСТОР С БЛОКИРУЮЩИМ ЕМКОСТЬ СТОКА БАРЬЕРОМ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2229758 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/78 | | Аналоги изобретения: | US 4665416 А, 12.05.1987. US 5132753 А, 21.07.1992. US 5589408 А, 31.12.1996. SU 1809707 А1, 10.08.1996. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU),Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (RU) | | Изобретатели: | Королев М.А. (RU)
Красюков А.Ю. (RU)
Тихонов Р.Д. (RU) | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)
Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой силовой электронике, при конструировании полупроводниковых приборов - униполярных транзисторов с полевым эффектом, создаваемым изолированным затвором. Сущность изобретения: в планарном силовом МОП-транзисторе в стоковой диффузионной области создается область с барьером Шоттки с площадью значительно меньшей, по крайней мере в 10 раз, относительно площади диффузионной стоковой области, так что относительно большая выходная емкость стока блокируется малой емкостью
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента