|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ СВЧ - ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2229184 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | НИКИШИН В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и связь, 1989, с. 106-107, 11-20, 30-38. SU 656432 A, 07.01.1986. SU 1679922 A1, 27.07.1996. SU 1766220 A1, 15.11.1994. US 4157561 А, 05.06.1979. US 5869381 А, 09.02.1999. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Булгаков О.М. (RU)
Петров Б.К. (RU) | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая электроника. Техническим результатом изобретения является повышение надежности транзисторной структуры за счет повышения ее устойчивости к изменению термического равновесия в пределах активных областей структуры вследствие отклонения характеристик режима усиления от штатных значений, например при рассогласовании оконечного каскада усилителя мощности с нагрузкой.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента