На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2216072 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L029/70 | Аналоги изобретения: | НИКИШИН В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и Связь, 1989, с.106-107. SU 1424656 А1, 10.01.1997. SU 1679922 А1, 27.07.1996. RU 2054755 С1, 20.02.1996. US 4639757 А, 27.01.1987. US 5907180 А, 25.05.1999. US 6013942 А, 11.01.2000. ЕР 0736908 А1, 09.10.1996. |
Имя заявителя: | Воронежский государственный университет | Изобретатели: | Петров Б.К. Булгаков О.М. | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника.
|