|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ СВЧ - ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2216070 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/70 | | Аналоги изобретения: | НИКИШИН В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и Связь, 1989, с.106-107. SU 1424656 А1, 10.01.1997. SU 1679922 А1, 27.07.1996. US 4639757 А, 27.01.1987. US 5907180 А, 25.05.1999. US 6013942 А, 11.01.2000. ЕР 0736908 А1, 09.10.1996. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет | | Изобретатели: | Петров Б.К.
Булгаков О.М. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента