|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2204144 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01R033/24 H01L029/82 | | Аналоги изобретения: | БАЛТЕС Г.П. и др. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля. ТИИЭР, т. 74, 1986, № 8, с.73, рис.10. RU 2127007 C1, 27.02.1999. US 4999632 А, 12.03.1991. ЕР 0063209 B1, 27.10.1982. ЕР 0131715 B1, 23.01.1985. |
| Имя заявителя: | Таганрогский государственный радиотехнический университет | | Изобретатели: | Коноплев Б.Г.
Лысенко И.Е. | | Патентообладатели: | Таганрогский государственный радиотехнический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области измерительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам направления и величины магнитных полей и магнитных потоков. Интегральный биполярный магнитотранзистор содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней четырьмя скрытыми полупроводниковыми областями четырех коллекторов второго типа проводимости, слаболегированную полупроводниковую область коллектора второго типа проводимости,
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента