|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОП - ТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ И С ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬЮ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2197769 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/76 H01L021/336 | | Аналоги изобретения: | US 5498555 A, 12.03.1996. US 5554544 A, 10.09.1996. RU 2018992 C1, 30.08.1994. SU 1829782 A1, 10.10.1996. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | КИМ Хюн-Сик (KR)
СИН Хеон-Йонг (KR)
ЛИ Соо-Чеол (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) |
Реферат | |
Использование в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: МОП-транзистор содержит полупроводниковую подложку, допированную примесью первого типа проводимости, изолирующий слой затвора, сформированный на полупроводниковой подложке, электроды затвора, сформированные на изолирующем слое затвора, и слой диэлектрика, сформированный путем поверхностного окисления электродов затвора.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента