|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ СВЧ МДП - ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2195747 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/78 | | Аналоги изобретения: | A 2,45 GHz power LD - MOSFET with reduced source inductance by V-groove connections. "International Electron Devices Meeting", 1985, December 1-4, p.166-169. RU 2054750 C1, 20.02.1996. SU 1118245 A1, 19.06.1995. WO 00/75990 A1, 14.12.2000. |
| Имя заявителя: | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | | Изобретатели: | Бачурин В.В.
Бычков С.С. | | Патентообладатели: | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" |
Реферат | |
Использование: в электронной полупроводниковой технике, в частности при конструировании мощных кремниевых МДП-транзисторов, предназначенных для усиления и генерирования мощности в ВЧ и СВЧ-диапазоне длин волн. Сущность изобретения: в конструкции мощного СВЧ МДП-транзистора, содержащего полупроводниковую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями первого типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с истоковой областью второго типа проводимости, стоковой областью второго типа прово
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента