|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2189665 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/772 H01L021/335 H01L051/00 | | Аналоги изобретения: | US 4677451 А, 30.06.1987. US 4735918 А, 05.04.1988. RU 2045112 С1, 27.09.1995. SU 1482479 А1, 27.11.1996. |
| Имя заявителя: | ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO) | | Изобретатели: | БЕРГГРЕН Рольф Магнус (SE)
ГУСТАФССОН Бенгт Йеран (SE)
КАРЛЬССОН Йохан Рогер Аксель (SE) | | Патентообладатели: | ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO) |
Реферат | |
Создан полевой транзистор, имеющий электроды (2, 4, 5) и изоляторы (3) в вертикально расположенных слоях, такой, что, по меньшей мере, электроды (4, 5) и изоляторы (3) образуют ступеньку (6), ориентированную вертикально относительно первого электрода (2) или подложки (1). В вариантах осуществления в виде полевого транзистора с управляющим р-n переходом (ПТУП) или в виде полевого транзистора со структурой металл - оксид - полупроводник (полевого МОП-транзистора) электроды (2, 5) образуют соответст
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента