|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ |  |
Номер публикации патента: 2183885 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/812 | | Аналоги изобретения: | ПОЖЕЛА Ю. Физика быстродействующих транзисторов. - Вильнюс: Мокслас, 1989, с.195, рис.8.6 б. ШУР М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1972, с.472, рис.9.6.4г. RU 2046453 С1, 20.10.1995. JP 62042463 А, 24.02.1987. US 4472872 А, 25.09.1984. |
| Имя заявителя: | Таганрогский государственный радиотехнический университет | | Изобретатели: | Коноплев Б.Г.
Рындин Е.А. | | Патентообладатели: | Таганрогский государственный радиотехнический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Сущность: в полевой транзистор Шоттки со статической индукцией, содержащий полупроводниковую область стока второго типа проводимости, полупроводниковую область истока второго типа проводимости, металлический контакт стока, расположенный под полупроводниковой областью стока и соединенный с ней, металлический контакт истока, расположенный над полупроводниковой областью истока и соединенный с ней, полупроводниковую область канала второго типа проводимости, имеющую вертикальную ориентацию, два металлических затвора, введены четыре области разделительного диэлектрика, первая из которых расположена между полупроводниковой областью стока и первым металлическим затвором Шоттки, вторая - между полупроводниковой областью стока и вторым металлическим затвором Шоттки, третья - между первым металлическим затвором Шоттки и полупроводниковой областью истока, четвертая - между вторым металлическим затвором Шоттки и полупроводниковой областью истока, причем поперечное сечение полупроводниковой области канала второго типа проводимости имеет форму равнобедренной трапеции, большое основание которой граничит с полупроводниковой областью стока второго типа проводимости, а малое основание граничит с полупроводниковой областью истока второго типа проводимости, металлические затворы имеют трапециевидную форму поперечного сечения, расположены слева и справа от полупроводниковой области канала второго типа проводимости и образуют с ней боковыми сторонами переходы Шоттки, высота полупроводниковой области канала второго типа проводимости, определяющая длину канала транзистора, равна высоте металлических затворов Шоттки. Техническим результатом является сокращение занимаемой площади, повышение быстродействия и термостабильности, расширение диапазона рабочих температур и обеспечение пентодных выходных характеристик. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента