|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2173916 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | КОЛЕСНИКОВ В.Г. и др. Кремниевые планарные транзисторы. - М.: Советское радио, 1973, с. 228 и 229, 223-233. SU 1827144 A3, 27.06.1996. SU 1414238 A1, 06.10.1997. US 4691215 A, 01.09.1987. US 5912501 A, 15.07.1999. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | | Изобретатели: | Кожитов Л.В.
Кондратенко Т.Т.
Крапухин В.В.
Тимошина Г.Г.
Кондратенко Т.Я. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) |
Реферат | |
Использование: в области электронной техники, в частности при конструировании и изготовлении биполярных полупроводниковых транзисторов, также может быть использовано в электронной промышленности в схемах усиления, генерации, преобразования электромагнитных колебаний и других. Сущность изобретения: в биполярном транзисторе вырожденный монокристаллический кремниевый n+-типа слой выращен в виде полого цилиндра, на внутренней поверхности которого сформирован металлический коллекторный контакт в виде двух цилиндрических слоев, выполненных из разных немагнитных металлов. На внешней поверхности этого слоя последовательно сформированы имеющие цилиндрическую форму монокристаллический кремниевый n-типа коллекторный слой, монокристаллический кремниевый р-типа базовый слой, монокристаллический кремниевый n-типа эмиттерный слой, на поверхности которого нанесен эмиттерный контакт в виде двух цилиндрических слоев, выполненных из разных немагнитных металлов. На поверхности монокристаллического кремниевого р-типа базового слоя сформирован металлический базовый контакт в виде симметричной пары контактов, каждый из которых содержит два цилиндрических слоя, выполненных из разных немагнитных металлов. Удельная электропроводность верхнего цилиндрического слоя металла в каждом контакте больше удельной электропроводности нижнего цилиндрического слоя металла по направлению протекания электрического тока. Техническим результатом изобретения является исключение краевого эффекта, увеличение напряжения пробоя до номинальной величины, снижение уровня электротепловой и магнитотепловой деградации, повышение уровня стабильности электрических параметров биполярных транзисторов и повышение уровня надежности при эксплуатации. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента