Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2170993

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99118605/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/84   H01L021/203    
Аналоги изобретения: RU 2050033 C1, 10.12.1995. US 5298436 A, 29.03.1994. EP 076750 А1, 09.04.1997. RU 2006980 С1, 30.01.1994. EP 0490486 A2, 17.06.1992. EP 0474280 A3, 11.03.1992. FR 2700065 А1, 27.04.1994. 

Имя заявителя: Центр технологий микроэлектроники 
Изобретатели: Лучинин В.В.
Корляков А.В.
Субботин О.В. 
Патентообладатели: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
Центр технологий микроэлектроники 

Реферат


Изобретения относятся к микроэлектронике. Сущность изобретения: микромеханический прибор содержит тензорезисторный чувствительный элемент, выполненный в полупроводниковой структуре легированного карбида кремния на подложке с диэлектрической поверхностью. В качестве полупроводниковой структуры используют карбид кремния, легированный из расчета соотношения активных и дефектных примесных центров 1:(2-20), в полупроводниковой структуре дополнительно сформирован терморезисторный чувствительный элемент. Способ изготовления микромеханического прибора предусматривает осаждение на подложку полупроводникового слоя, содержащего легирующую примесь, под управляющим воздействием по парциальному давлению или скорости подачи газа с последующим нанесением слоя диэлектрика и формированием чувствительных элементов в полученной полупроводниковой структуре с помощью избирательного травления. Осаждают полупроводниковый слой на основе карбида кремния, при этом управляющее воздействие осуществляют из расчета соотношения активных и дефектных примесных центров в полупроводниковом слое 1:(2-20), а чувствительные элементы формируют не содержащими потенциальных барьеров. Технический результат - обеспечение требуемой чувствительности к физическим воздействиям и повышение управляемости характеристиками тензо- и термочувствительности микромеханических приборов. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"