|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2169411 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/30 H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | RU 2086043 C1, 27.07.1997. GB 2025147 A, 16.01.1980. US 4196228 A, 01.04.1980. US 5439841 A, 08.08.1995. ЗАЙЦЕВ Ю.В. и др. Полупроводниковые резисторы в электротехнике. - М.: Энергоатомиздат, 1988, с.18-19, фиг.1.9.б. |
| Имя заявителя: | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина" | | Изобретатели: | Асина С.С.
Беккерман Д.Ю. | | Патентообладатели: | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина" |
Реферат | |
Использование: в производстве мощных кремниевых резисторов таблеточного исполнения, в частности высокотемпературных кремниевых резисторов. Техническим результатом изобретения является повышение максимально допустимой температуры мощного кремниевого резистора до 180oС при сохранении температурной характеристики сопротивления в пределах 10% и, как следствие, повышение его номинальной мощности.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента